Установка вакуумного напыления тонких пленок

Назначение: Осаждение тонких пленок методом лазерного и магнетронного напыления.

Основные технические характеристики:

- Толщина осаждаемых слоев от 2 до 1000 нм;

- Материал активного тела лазера - Nd:YAG;

- Рабочие длины волн лазера - 532 и 1064 нм;

- Длительность импульсов - 10-12 нс;

Установка предназначена для осаждения тонких пленок методом лазерного и магнетронного напыления. Воздействие интенсивного импульсного лазерного излучения на твердотельные материалы вызывает формирование плазменно-парового потока вещества мишени - эрозионного факела.

Осаждение такого потока на поверхность подложки позволяет наносить различные по химическому составу наноразмерные и тонкопленочные функциональные слои и многослойные структуры на основе металлов, полупроводников и диэлектриков.

Имеется возможность получения сплавных тонкопленочных слоев заданного стехиометрического состава, а также нагрева подложек до температуры 700°С.

Установка позволяет решить следующие задачи:

- Создание наноструктурированныхи нанокомпозитных покрытий трибологического назначения;

- Создание каталитических тонкопленочных материалов на основе халькогенидов переходных металлов;

- Создание сенсорных структур;

Создание тонкопленочных материалов, необходимых для ряда приложений в наноэлектронике, оптике и др.